SK Hynix dan Samsung, dua raksasa teknologi yang sedang dalam persaingan ketat untuk mengembangkan chip DRAM GDDR7. Pada acara NVIDIA GTC 2024, SK Hynix memperlihatkan modul memori GDDR7 yang menjanjikan kecepatan pin hingga 40 Gbps, memberikan bandwidth luar biasa hingga 160 GB/s per modul. Standar GDDR7 sendiri akan memiliki kecepatan dasar 32 Gbps, setara dengan bandwidth 128 GB/s per modul.
Samsung, sebagai pesaing utama, juga tidak tinggal diam. Perusahaan ini memamerkan modul memorinya di GTC, meskipun dalam varian 16 Gb dengan kecepatan 32 Gbps. Selain itu, Samsung telah mengungkapkan modul dengan kecepatan pin hingga 37 Gbps. Pertarungan antara SK Hynix dan Samsung bukan hanya soal kecepatan, tetapi juga kapasitas.
Memori GDDR7 akan tersedia dalam berbagai kapasitas hingga 24 Gb, dengan kapasitas dasar saat ini ditetapkan pada 16 Gb. Dengan modul 16 Gb, akan mendapatkan kapasitas VRAM sebesar 2 GB, sedangkan dengan modul 24 Gb, kapasitas VRAM akan mencapai 3 GB. Namun, dalam laporan yang dipublikasikan oleh JEDEC mengkonfirmasi bahwa spesifikas GDDR7 akan mencapai kecepatan tertinggi hingga 48 Gbps dan kepadatan 64 Gb (setara dengan 8 GB). Ini akan menandai peningkatan besar dalam kapasitas memori video dengan antarmuka standar 256-bit yang menawarkan kapasitas total 64 GB.
Dalam dunia komputasi modern, kecepatan dan kapasitas memori sangat penting. Penggunaan memori GDDR7 yang lebih cepat dan lebih besar akan memungkinkan perangkat seperti kartu grafis dan sistem komputer untuk mengatasi tugas-tugas yang semakin kompleks, termasuk game bergrafis tinggi, rendering video, dan kecerdasan buatan. Dengan persaingan yang ketat antara SK Hynix dan Samsung, kita dapat berharap melihat inovasi lebih lanjut dalam teknologi memori yang akan membentuk masa depan komputasi.
Sumber dari: HardwareLUXX, Wccftech, Videocardz